Industrielle DDR DIMM und SO-DIMM Speichermodule

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSZ2904G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 260-pin, PC2933, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2933 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR4 DIMM | CIR-W4DUSV2604G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 4GB, 288-pin, PC2666, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC StandardSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR3 SO-DIMM | CIR-S3SUSPM1604G

DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 204-pin, PC1600, 512Mx8 SR, Samsung, 1,5V/1,35V Merkmale:JEDEC-Standard 204-pin Small Outline Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,5 V/1,35VTaktrate: 1600 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Für DDR3 Arbeitsspeicher sind Taktraten von 800, 1066, 1333, 1600, 1866 und 2133 MHz üblich. Sie verfügen über 240 Pins (DIMM) bzw. 204 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden zwischen 1.35 und 1.5 V benötigt.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSV2404G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 260-pin, PC2400, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2400 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR3 SO-DIMM | CIR-S3SUSOM1602G

DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 2 GB, 204-pin, PC1600, 256Mx8 SR, Samsung, 1,5V/1,35V Merkmale:JEDEC-Standard 204-pin Small Outline Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,5 V/1,35VTaktrate: 1600 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Für DDR3 Arbeitsspeicher sind Taktraten von 800, 1066, 1333, 1600, 1866 und 2133 MHz üblich. Sie verfügen über 240 Pins (DIMM) bzw. 204 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden zwischen 1.35 und 1.5 V benötigt.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SVSV2604G

DDR4 Very Low Profile SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 260-pin, PC2666, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECCVery Low Profile DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR5 SO-DIMM | CIR-S5SUSB4816G

DDR5 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 16 GB, 262-pin, PC4800, 2Gx8 SR, Samsung, 1,1V Merkmale:JEDEC Standard 262-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,1VTaktrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR5 Arbeitsspeicher sind die aktuell modernsten Arbeitsspeicher. Sie sind mit 51 Gb/s fast doppelt so schnell wie die DDR4 Modelle mit 26Gb/s. Des Weiteren bieten sie bessere Datenübertragungsraten, Taktraten sowie eine höhere Effizienz. Außerdem haben DDR5 Speichermodule einen etwas geringeren Stromverbrauch.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-W4SUSV2408G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2400, 512Mx8 DR, Samsung, 1,2V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC StandardSpannung: 1,2VTaktrate: 2400 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSY3208G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC3200, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 3200 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSW2108G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2133, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2133 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR5 SO-DIMM | CIR-S5SUSC4808G

DDR5 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 262-pin, PC4800, 1Gx8 SR, Samsung, 1,1V Merkmale:JEDEC Standard 262-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,1VTaktrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR5 Arbeitsspeicher sind die aktuell modernsten Arbeitsspeicher. Sie sind mit 51 Gb/s fast doppelt so schnell wie die DDR4 Modelle mit 26Gb/s. Des Weiteren bieten sie bessere Datenübertragungsraten, Taktraten sowie eine höhere Effizienz. Außerdem haben DDR5 Speichermodule einen etwas geringeren Stromverbrauch.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSZ2908G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2933, 512Mx8 DR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2933 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR5 DIMM | CIR-S5DUSF4816G

DDR5 DIMM Arbeitsspeicher, 16 GB, 288-pin, PC4800, 2Gx8 SR, Samsung, 1,1V Merkmale:JEDEC Standard 288-pin Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,1VDatenrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Die DDR5-DRAM-Spezifikation bietet erhebliche Verbesserungen bei Kapazität, Geschwindigkeit und Spannung. Der SPD ist auf die JEDEC-Standard-Latenzzeit DDR5-4800 von 40-39-39 bei 1,1 V programmiert. Jedes 288-Pin-DIMM verwendet Goldkontaktfinger und ist in Kapazitäten von 8 GB, 16 GB und 32 GB erhältlich.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSW2408G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2400, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2400 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSV2608G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2666, 512Mx8 DR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

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DDR5 SO-DIMM | CIR-S5SUSE4808G

DDR5 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 262-pin, PC4800, 1Gx16 SR, Samsung, 1,1V Merkmale:JEDEC Standard 262-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,1VTaktrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Die DDR5-DRAM-Spezifikation bietet erhebliche Verbesserungen bei Kapazität, Geschwindigkeit und Spannung. Der SPD ist auf die JEDEC-Standard-Latenzzeit DDR5-4800 von 40-39-39 bei 1,1 V programmiert. Jedes 262-Pin-SO-DIMM verwendet Goldkontaktfinger und ist in Kapazitäten von 8 GB, 16 GB und 32 GB erhältlich.

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Unabhängig davon, ob Sie sich für DIMM oder SO-DIMM entscheiden, ist die Wahl des richtigen Speichermoduls von entscheidender Bedeutung, um die Systemleistung zu optimieren. Es ist wichtig, die Kompatibilität mit Ihrem System zu überprüfen und sicherzustellen, dass Sie die richtige Kapazität und Geschwindigkeit auswählen, die Ihren Anforderungen gerecht wird. Um dem industriellen Anspruch standhalten zu können, sind die meisten Speichermodule auch mit erweitertem Betriebstemperaturbereich von -40 bis +85 °C erhältlich.

DIMM (Dual Inline Memory Module)

DIMM-Speicher sind in Desktop-Computern und Servern weit verbreitet. Diese Module sind größer als ihre SO-DIMM-Pendants und bieten eine höhere Kapazität. Ein häufiger Anwendungsbereich für DIMM-Module ist die Steigerung der Systemleistung in Workstations und Servern, die komplexe Aufgaben und große Datensätze bewältigen müssen. Die Aufgaben von DIMM-Modulen umfassen:

Erhöhung der Speicherkapazität
Steigerung der Geschwindigkeit
Verbesserung der Datenverarbeitung

SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module)

SO-DIMM-Module sind kleiner und kompakter als DIMM-Module und finden ihren Platz in Laptops, Notebooks und kleinen Formfaktor-Computern. Sie sind für ihre Energieeffizienz und Mobilität bekannt und erfüllen die folgenden Aufgaben:

Platzersparnis beim Speicherausbau
Mobilität und Energieeffizienz
Anpassungsfähigkeit auf Grund der vielfältigen technischen Eigenschaften

DDR Speicher Generationen

DDR5

Wir bieten Ihnen DDR5 Speichermodule mit Kapazitäten von 8 bis 32 GB bei einer Taktrate von 4800 MHz an. Sie können eine große Anzahl an Daten gleichzeitig im Arbeitsspeicher halten. Dies ist besonders wichtig für rechenintensive Aufgaben und speicherhungrige Anwendungen wie Videobearbeitung und 3D-Rendering. DDR5 Speichermodule haben eine höhere Bandbreite als ihre Vorgängergenerationen. Dies ermöglicht es, Daten schneller zwischen RAM und CPU zu übertragen, was zu einer verbesserten Reaktionsfähigkeit und kürzeren Ladezeiten von Anwendungen führt. DDR5-Module bieten fortschrittliche Fehlerkorrekturfunktionen, die Datenfehler aufgrund von elektromagnetischer Interferenz (EMI) oder anderen Störungen reduzieren. Dies erhöht die Zuverlässigkeit und Stabilität des Systems.

DDR4

Die DDR4 Speichermodule sind schon seit 2014 vom PC Markt nicht mehr wegzudenken. DDR4 bietet eine Bandbreite von 512 MB bis zu 32 GB. Die Taktrate liegt zwischen 2133 und 3200 MHz. Für eine große Anzahl an industriellen Anwendungen sind die DDR4 Speicher heute noch immer eine gute Wahl. Im Vergleich zum Vorgänger wird DDR4 Modul höher getaktet, was höhere Transferraten möglich macht. Mit der neu entwickelten Chip-Stacking-Technologie können bis zu acht Speicherschichten übereinander geschichtet werden. Dadurch wird sowohl die maximale Speicherkapazität als auch die Signalqualität der einzelnen Module erhöht.

DDR3

DDR3-Speicher (Double Data Rate 3) ist mit einer Vielzahl von Prozessoren kompatibel, insbesondere mit älteren Prozessoren der 1. bis 3. Generation, die für diese Speichertechnologie entwickelt wurden. Die Kompatibilität hängt jedoch von verschiedenen Faktoren ab, einschließlich des Sockeltyps des Prozessors und des unterstützten Arbeitsspeichers. Die Speicherkapazität geht von 512 MB bis 8 GB bei Taktraten zwischen 1066 bis 1866 MHz.